Ученые из Мэрилендского университета подтвердили, что в материале под названием графен электроны перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии, который используется в качестве полупроводниковой подложки в микросхемах, пишет издание TG Daily.
Графен, который представляет собой слой атомов углерода, соединенных посредством sp2 связей в гексагональную двумерную кристаллическую решетку, позволяет ускорить перемещение электронов в сотню раз.

При комнатной температуре графен обеспечивает удельное сопротивление всего в один микроом на сантиметр, что на 35 процентов ниже удельного сопротивления меди, которая используется в качестве проводника при создании микросхем. Существующие образцы графена, однако, содержат примеси и из-за этого их сопротивление пока выше, чем у меди.

Еще одна важная характеристика пригодности полупроводника в современной электронике - подвижность электронов в нем. Исследователи обнаружили, что у графена она может достигать рекордного значения 20 м2/в*с (для сравнения: у кремния - 0,15 м2/в*с). Это результат совпадает с результатом, недавно полученным другой группой физиков под руководством Андре Гейма.

Кроме того, графен из-за того, что имеет толщину в один атом, может быть широко применен в областях, связанных с тонкопленочными технологиями. В частности, он может быть использован в сенсорных экранах и фотоэлектрических элементах.

Графен был открыт и описан группой Гейма в 2004 году. В статье в журнале Science они отмечали, что материал в природе не существует и является нестабильным по сравнению с другими изомерами углерода.